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（2）肖特基缺陷表面层原子获得较大能量，离开原来格点位跑到表面外新的格点位，原来位置形成空位这样晶格深处的原子就依次填入，结果表面上的空位逐渐转移到内部去。特点：体积增大，对离子晶体、正负离子空位成对出现，数量相等。结构致密易形成肖特基缺陷。晶体热缺陷的存在对晶体性质及一系列物理化学过程山东天岳先进材料科技有限公司，导电、扩散、固相反应、烧结等产生重要影响山东天岳新材料，适当提高温度，可提高缺陷浓度，有利于扩散，烧结作用，外加少量填加剂也可提高热缺陷浓度，有些过程需要最大限度避免缺陷产生，如单晶生产，要非常快冷却。3.组成缺陷主要是一种杂质缺陷，在原晶体结构中进入了杂质原子，它与固有原子性质不同，破坏了原子排列的周期性，杂质原子在晶体中占据两种位置（1）填隙位（2）格点位
项目规划目标：2006年投资800万元，建立北研发中心，2007年投资1200万，在新疆建立碳化硅晶体生产基地和全球销售渠道，2008年投资2000万，扩大新疆碳化硅晶体的年生产能力，2008-2010年，扩大生产，力争达到10万片晶片。
项目实际进展：至2007年1月30日，北京天科注册资金达到8400万，生产基地在北、新疆两地，后续加工中心目前正在选址，估计将落户苏州山东天岳，根据实地考察情况，通过同中科院项目总设计师陈教授请教及对北京天科碳化硅晶体生长炉的实地考察，我们觉得碳化硅晶片项目产业化进展顺利，北京天科8台自制生长炉已经委托生产山东天岳先进材料，预计10台生长炉4月份可进行安装调试，晶体切片、抛光等后续工艺加工目前采用日本进口设备，已完成订货，预计7月份可达到20台生长炉，其中北京10台，新疆10台，新疆已完成1500平米48台的厂房建设，生长炉安装调试采用复制方式，缩短了调试周期，顺利的话，今年9月将达到35台炉子，新疆达到24台生长炉。市场销售方面，合作方及股东之一新加坡g3公司全面负责，初期国外市场就供不应求。
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