CED07N65A TO-252 n-chanel 场效应管

温馨提示：
  cet台湾华瑞mos管是专业型的产品，使用对技术要求较高！由于选型中可能涉及电流；电压；内阻；结电流等多项参数，另外还有后脚位与封装的区别，所以请您在购买我们产品前，将您所需产品详细信息告诉我们！以便我们能准确迅速的发货。为了保障您的利益，第一次购买不建议直接拍下并付款!
华瑞（cet）成立于1984年，是国内最具竞争力之功率半导体元件制造厂。已取得多项产品发明专利，并经iso14001、qs9000、iso9001认证。
  华瑞（cet）是台湾第一家自行研发、生产、销售powermosfets自有品牌的公司。从元件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，行销全球。产品已被广泛应用于m/b、nb、ups、powerinverter、ccfl、dc fan、smps、adapter、lighting、battery、dc-dc、lcdmonitor等领域。
 华瑞（cet）拥有非常齐全的功率金氧半电晶体的产品线及高压闸极绝缘双极性电晶体产品，也可以依客户需求客制化制作产品。
 华瑞（cet）拥有二十多年ic封装经验以及台湾功率半导体元件经验最丰富、最悠久的设计团队。未来将以此为基础，开发更先进之产品，以客户服务为导向，提供最佳的品质与交期，以期满足客户之需求。
  华瑞产品应用：
1、power tools(电动工具)：cep50n06 cep6060r
2、power inverter(逆变器，ups电源)：cep3205 cep50n06 cep9060r cep70n06cep60n10 cepf640 cepf630 cepf634 cep740n cep740a
3、e-bike(电动车控制器)：cep3205 cep9060r cep50n06 cep70n06 cep7060rcep8096 cep80n75 cep60n10
台湾华瑞cet一级代理商
2007年10月cet取得台湾「自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体(msofet)装置及其制造方法」之发明专利（发明第i287840号）
2005年10月cet取得美国「lower the on-resistance in protection circuit ofrechargeable battery by using flip-chiptechnology」之发明专利（美国发明第6,917,117号）
2005年10月cet取得大陆「功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法」之发明专利（大陆发明第zl01144661.7号）
2005年05月cet取得台湾「降低功率金氧半场效电晶体(mosfet)导通电阻之封装打线改良装置」之新型专利（新型第m262837号）
2005年04月cet取得大陆「无焊线式半导体装置及其封装方法」之发明专利（大陆发明第zl02102821.4号）
2004年12月cet取得大陆「导线架」之发明专利（大陆发明第zl99123960.1号）
2004年05月cet取得台湾「利用防卫环(guardring)连接技术以达成功率半导体元件积体电路化之方法及装置」之发明专利（发明第196136号）
2004年05月cet取得大陆「充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法」之发明专利（大陆发明第zl01110591.7号）
2004年04月cet取得台湾「高耐雪崩崩溃电压元件之装置，以及提高元件耐雪崩崩溃电压之方法」之发明专利（发明第194175号）
2003年12月cet取得台湾「改变功率电晶体闸极结构改善其切换速度之方法」之发明专利（发明第182953号）
2003年09月cet取得台湾「无焊线式半导体装置及其封装方法（一）」之发明专利（发明第176589号）
2003年07月cet取得台湾「单相降压型直流电源转换器整合式封装构造」之新型专利（新型第199864号）
2003年05月cet取得台湾「用于降低导通电阻之充电电池保护电路用功率电晶体的覆晶安装方法」之发明专利（发明第168017号）
2003年04月cet取得台湾「半导体功率元件之封装方法及及其装置」之发明专利（发明第163944号）
2003年03月cet取得台湾「无焊线式半导体装置及其封装方法（二）」之发明专利（发明第165175号）
2002年09月cet取得台湾「利用井区渐层式掺杂降低功率mosfet漏电流及提升崩溃电压之方法及其装置」之发明专利（发明第154006号）
2002年09月cet取得台湾「降低磊晶层电阻值之沟渠式功率moset装置及其制造方法」之发明专利（发明第152521号）
2002年08月cet取得台湾「具有减少反向漏电流急变且提高耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第151542号）
2002年07月cet取得台湾「用于控制绝缘闸极双极性电晶体(igbt)装置切换速率之方法,以及绝缘闸极双极性电晶体(igbt)装置及其制造方法」之发明专利（发明第151899号）
2002年06月cet取得台湾「低导通电阻值功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第151091号）
2002年06月cet取得台湾「在相同元件面积下以平面式技术取得具有沟渠式技术低导通电阻值之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第151089号）
2002年06月cet取得台湾「平面式超低导通电阻值之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第151088号）
2002年05月cet取得台湾「具有低接触电阻值之功率mos fet装置」之新型专利（新型第185499号）
2002年04月cet取得台湾「降低导通电阻值及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第147333号）
2002年03月cet取得台湾「利用离子植入技术提升功率mosfet电晶体开关速率之方法及其装置」之发明专利（发明第145832号）
2002年03月cet取得台湾「沟渠式功率mosfet之改良结构及其制造方法」之发明专利（发明第144201号）
2001年04月cet取得台湾「高功率电晶体在塑胶封装产品的导线架设计(一)」之新型专利（新型第153576号）
以下是电焊机普遍使用to-220封装mosfet的料
cep4060a to-220
cep20p06 to-220
cep6336 to-220
cep6601 to-220
cep6060n to-220
cep12p10 to-220
cepf640 to-220
以下是ups普遍使用to-220封装mosfet的料
cep3205
cep93a3
cep83a3g
cep740
cep640
cep60n10
产品型号较多，在此不便一一列举。如您需要了解我们的更多产品，请与我们联系！
   0755-8837706 姚军强 
公司坚持秉承“质量第一；价格合理；交货快捷；服务至上”的经营理念。 
希望在信任的基础上与您和您的公司建立起稳定的长期合作关系！

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深圳市佛瑞森科技有限公司
姚军强
13823550580

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