qorvo射频微波晶体管代理商,功率管MMIC芯片

加工定制品牌qorvo
型号MMIC种类三极管
标称频率1MHz调整频差1MHz
温度频差1MHz总频差1MHz
负载电容1pF负载谐振电阻
激励电平1mW基准温度1℃
插入损耗1dB阻带衰减1dB
输入阻抗1kΩ输出阻抗1kΩ

离散晶体管
qorvo提供各种高功率和高频rf晶体管,包括gaas phemts和gan hemt,均采用裸片和封装形式。
gaas phemts
qorvo采用我们先进的超低噪声0.13μmphemt和0.25μme-phemt工艺,提供各种分立晶体管元件。这些分立器件在设计低噪声放大器(lna)电路时可以让客户完全控制。各种分立式fet提供的nf(min)低至0.15 db,可用于高达22 ghz。匹配的双晶体管也可用,非常适合平衡式lna设计。
砷化镓phemts晶体管
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低噪声放大器
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氮化镓 hemts晶体管
qorvo在芯片级封装解决方案中提供了广泛的各种氮化镓(gan)分立晶体管产品,其功率,电压和频率等级各不相同。我们的产品提供高性能的氮化镓和行业标准封装的便利性,加快了设计和制造速度 - 所有这些都支持我们业界领先的可靠性。
gan hemt
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