dr4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成*一条ddr4内存。
ddr4相比 ddr3最大的区别有三点:16bit预取机制(ddr3为8bit),同样内核频率下理论速度是ddr3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2v,更节能。
ddr 又称双倍速率sdram,double date rate sdrsm ddr sdram 是一种高速cmos动态随即访问的内存。美国jedec 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(ddr sdram)规范jesd79, 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输,所以即使在133mhz的总线频率下的带宽也能达到2.128gb/s 。ddr 不支持3.3v 电压的lvttl ,而是支持2.5v 的sstl2标准,它仍然可以沿用现有sdram 的生产体系,制造成本比sdram 略高一些,但远小于rambus的价格。ddr存储器代表着未来能与rambu 相抗衡的内存发展的一个方向。
内存分为dram和rom两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上rom中的bios程序,然后再由它去调用硬盘中的windows,rom的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
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